光电实验室札记

  虽然已经拥有了太多荣誉，但 拿到美国纽约证券交易所国际 顾问委员会(MOU)成员的聘书，还是让施正荣激动不已。2006年8月8日，纽交所总裁凯瑟琳·吉尼、总经理马杜一行在南京向施正荣颁发了这张“白金级”聘书。拥有这样聘书的全球仅有30人，全部为顶级企业的董事长和总经理，施正荣是唯一的中国人。 
 
    
 　　虽然国际资本市场对中国太阳能概念股的热情已经大大减退，但尚德的股票却一直受到追捧，2006年12月以来其股价一直在30美元以上，今年2月初甚至再次摸到40美元，尚德在纽交所的市值超过50亿美元，成为全球光伏行业市值最高的企业。
 
    
 　　今天，在从硅材料到光伏市场的整个链条中，无锡尚德成为国内光伏企业中唯一具有话语权可以影响产业链的企业，其不断扩张的产能，不仅对国内光伏企业，甚至对国际光伏行业都产生很大的影响。
 
    
 　　分析师预测，2006年尚德的营业收入将突破5亿美元，净利润将超过1亿美元，“尚德会在中国整合产能资源，而在全球以联盟、合作等方式解决原材料、市场等环节。”
 
    
 　　而以他为榜样，国内也有越来越多的企业家冲进了同一块市场。
 
    
 　　尚德合纵
 
    
 　　2006年8月，尚德和MEMC公司签订了长达10年的采购合同，此项长期供应合同可为其未来10年的快速发展提供稳定的原材料供应保证，特别是在未来3年硅材料供应十分紧缺的情况下。尚德已经为2010年实现1000兆瓦的目标，挑战日本夏普在光伏产业的霸主地位，备齐足够的枪支弹药。
 
    
 　　中国台湾地区东部海岸，MEMC的3000吨级的多晶硅生产项目即将动工，作为采购合同的一部分，尚德以无息贷款或者押金的方式向MEMC预付资金，以用于扩大MEMC的产能，MEMC计划到2008年将产能从2006年的5000多吨提升到8400吨。此外，MEMC最多还可购买无锡尚德4.99%的股权。双方商定的采购价格将以往年价格作为基准参数，预计将逐年下降。
 
    
 　　目前尚德硅片供应有50%来自国内，50%来自国际市场，但国内市场提供硅片的价格明显高于国际市场。一旦国际市场能够为尚德提供充足的原料，尚德肯定会减少在国内的采购。“不仅仅是技术不成熟，国内电价比国际市场高出很多，而电力在硅材料成本中占据首位，没法参与国际竞争。”也正因此，施正荣谈得更多的是在全球市场上整合资源。
 
    
 　　除了解决上游硅材料问题外，尚德还在努力开拓国际市场。2006年8月，无锡尚德以3亿美元收购日本MSK公司，企图借助其品牌进入日本市场。MSK是日本最大的光伏制造商之一，也是建筑集成光伏领域的领先公司之一，进入太阳能光伏领域已有20多年历史。MSK在全球销售布局、成熟的品牌策略和国际化市场营销专业技能，对于尚德实施全球拓展战略具有极大的现实价值。
 
    
 　　日本不仅是最大的太阳能电池单一市场，也是外国企业最难进入的市场之一。日本能源极度匮乏，常规能源的电价成本相对较高，对新能源产业极为重视。MSK收购案在日本引起极大的震动，日本是最早使用太阳能的国家，最早将光伏产业提高到国家战略地位，以至于许多日本人并不愿意看到中国企业收购日本光伏企业。
 
    
 　　2004年以前，日本占据世界光伏市场的半壁江山，之后两年日本光伏市场的全球份额虽然降到30%，但仍然具有近400兆瓦的市场。日本是太阳能的第一制造大国，夏普仍然是目前毫无争议的全球老大，京瓷、三洋、三菱等日本光伏企业也都有巨大的产能，而且保守的日本人不轻易使用外来产品。
 
    
 　　也正因此，绝大部分中国光伏企业都与日本市场无缘。2006年尚德的产能已经达到240兆瓦，跃居世界三强，但与日本夏普600兆瓦的产量距离尚远，打造1000兆瓦成为全球老大是施正荣的梦想。在中国光伏市场迟迟没有启动的情况下，要实现这个理想，日本市场就是尚德的必争之地。
 
    
 　　新南威尔士大学的校友们
 
    
 　　中电电气可能是继无锡尚德之后最受追捧的光伏企业，而南京中电最大的卖点就是赵建华。赵建华是施正荣在新南威尔士大学的师兄，在理论研究方面的资历比施正荣还要深，他与夫人王爱华是单晶硅太阳能电池光电转换率24.7%的世界纪录的保持者。
 
    
 　　1988年，施正荣公派到新南威尔士大学 
 
    
 
 
    
 留学时，赵建华已经在马丁·格林教授的研究所工作3年了；施正荣成为该所研究员时，赵建华已经升任光伏研究所的副主任。2004年5月，南京中电电气集团董事长陆廷秀与以赵建华夫妇为首的技术团队达成协议，共同投资成立南京中电。
 
    
 　　赵建华担任南京中电总经理，也是技术研发的带头人。产业规律显示，太阳能电池的光电转换率每提高1%，整个生产成本将下降9%左右，虽然从实验室到大规模生产的转换率，仍然存在大量的技术难题，但南京中电无疑是国内最有研发实力的企业之一。
 
    
 　　资本追捧的程度超过赵建华的想象。虽然还没有上市，但在私募活动中，南京中电许多高管人员就已经拥有了大量财富。在胡润2006年能源富豪榜中，南京中电居然占据3个席位——赵建华、王爱华夫妇以8亿元的财富位居第21位；曾担任无锡尚德总经理助理的杨怀进以7亿元名列第27位；另一位来自南京中电的张凤鸣，同样在南威尔士大学取得博士学位，以5亿元名列第34位。
 
    
 　　在光伏产业中，新南威尔士大学赫赫有名，特别是在硅体系的理论研究中更是处于权威和核心的地位。马丁·格林教授是诺贝尔环境奖获得者，素有“世界太阳能之父”的称号，施正荣与赵建华都是他的弟子。也正因此，拥有新南威尔士大学光伏专业博士，有时也能一定程度上反映企业的技术实力。
 
    
 　　目前，无锡尚德拥有的新南威尔大学光伏方面的专家最多，除了施正荣之外，负责研发的蔡世俊、张光春等都是新南威尔士大学的光伏博士，施正荣甚至还请来新南威尔士大学光伏研究中心主任Stuart Wenham担任首席技术官。
 
    
 　　河北晶龙集团投资成立晶澳太阳能科技公司，进军太阳能电池业务时，就将新南威尔士大学的戴熙明博士推向前台，称其为马丁·格林实验室的三位核心科学家之一；林洋的研发中心也聚集了来自澳大利亚的研发人员，首席技术顾问郑广富也是来自新南威尔士大学的博士，曾与施正荣在同一个实验中研究薄膜技术；而另两位技术骨干，电池事业部总监汤云辉与工程技术中心主任云飞也都曾在新南威尔大学从事硅电池的研究。
 
    
 　　新南威尔士大学为中国光伏产业的发展提供了巨大的技术支持。虽然新南威尔士大学在光伏研究中处于世界领先水平，但澳大利亚的光伏市场一直没有启动。也正因此，在“尚德效应”的影响下，在新南威尔士大学从事光伏技术的中国人纷纷回国创业。 
 
    
 　　有人统计，回国创业的新南威尔士大学光伏博士共有12位，他们都在国内光伏企业位居要职。现在，来自新南威尔士大学的技术人员越来越多，都自称为格林教授的弟子，即使是业内同行，许多人也搞不清楚哪些是嫡传弟子，哪些或许只是听过教授讲课或者在试验室里参观过。但不管怎样，在中国光伏产业发展的历史上，新南威尔士大学注定要留下深深的痕迹。
 
    
 　　第二梯队
 
    
 　　除了由新南威尔士大学的博士们组成的“学院派”，国内光伏产业土生土长的第二梯队也开始显露头角。
 
    
 　　陆永华是林洋新能源的大老板，光伏行业的发展迅速让他极为震惊。1996年他成立林洋电子制造电能表，2004年8月投资成立林洋新能源，两年之后林洋新能源的营业收入就达到6000万美元。这个数字是他苦心经营电能表10年才能达到的，更不要说林洋新能源的上市让他的财富迅速膨胀。
 
    
 　　为了将更多资源集中到新能源产业中来，他在林洋上市之后亲自担任CEO的职位。但在2007年1月8日林洋上市庆功晚会上，最引人注目的并不是大老板陆永华，而是帮助他实现飞跃的王汉飞。
 
    
 　　王汉飞曾经是尚德施正荣最得力的助手。2001年9月，王汉飞正式加盟无锡尚德时，这家公司在科技创业园里只租用了两间办公室，员工主要是董事长李延人带来的行政人员和施正荣从澳大利亚带来的技术人员，公开招聘的高管人员只有王汉飞一人。
 
    
 　　在尚德的困难时期，人员流动非常严重，包括施正荣带来的一些技术人员也纷纷离职，但王汉飞一直与施正荣并肩作战，一起度过了最艰苦的几年。也正因此，即使在王汉飞离职之后，他与施正荣仍然保持着兄弟般的友谊。王汉飞家住无锡，每次从启东回家，如果有机会两人总是会见上一面。
 
    
 　　2005年5月，王汉飞受陆永华邀请加盟林洋新能源担任CEO，在他的努力之下，林洋在上市之前，已经具有60兆瓦的产能。“尚德4年时间达到的成果，我们差不多用两年的时间就达到了。”王汉飞说。
 
    
 　　在光伏产业，谁先上市谁就能在未来竞争中占据有利位置。王汉飞也相信这个道理，美国上市无疑会增强林洋在国际上的品牌影响力，对公司的海外销售有极大的促进作用。也正因此，王汉飞制定2007年产量达到100兆瓦的生产目标，而百级兆瓦的产量无疑是国内许多企业难以突破的节点。
 
    
 　　他利用上市融资1.5亿美元，迅速扩大产业规模。2007年第二季度，林洋另外两条30兆瓦的生产线就会建成投产，产能将迅速提高到120兆瓦，到年底，王汉飞还要将这个数字调整到240兆瓦。他同时还要将产品的平均转换效率从16.5%提高到16.8%。董事会给他设定的目标是保三争二，尚德是国际光伏产业的第一阵营，而国内二线的光伏企业还处于混乱状态。王汉飞相信2007年处于二线的光伏企业的排名将会明晰起来。
 
    
 　　同样希望在二线脱颖而出的还有常州天合，董事长高纪凡2006年以20亿元的收入，位居胡润能源富豪榜第9位，他也是最早在光伏产业中淘金的人。
 
    
 　　2002年原国家计委启动“西部省区无电乡通电计划”，通过光伏发电的方式，解决西部地区用电问题。常州天合负责西藏40座共计715KW光伏电站的建设，被国内同行业称为太阳能光伏产业的一匹“黑马”。2005年公司又被国家发改委全球环境基金、世界银行列为中国可再生能源发展项目的支持对象。此后，天合把光伏产业链从上游的硅切片延伸到太阳能电池以及组件安装等各个链条，虽然每一个环节都不是最强，但却是产业链最为完整的国内光伏企业之一。
 
    
 　　胡宏勋一直都在为上海交大国飞绿色能源公司错过大发展的时机而感到惋惜。2003年的交大国飞已经盖起来1万平方米的厂房，生产设备全部到位，而那时的尚德只有2000多平方米的厂房，但是交大国飞没有等到德国光伏市场启动的那一天，相差只有3个月的时间。胡宏勋也就是在2003年底辞去交大国飞总经理职位的。
 
    
 　　他现在的职务是杉杉尤利卡太阳能公司总经理。2005年7月25日，正在寻找高科技投资项目的宁波杉杉，与胡宏勋共同投资组建宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司。杉杉投资控股及杉杉股份出资占据公司73.31%的股份，胡宏勋以及技术团队以现金和技术入股占据公司26.69%的股份。一年时间内杉杉尤利卡建成了两条晶体硅生产线，2006年实现销售收入1.5亿元。
 
    
 　　胡是国内资深的光伏专家，他的成就在非晶硅薄膜太阳能电池方面。上世纪80年代他将非晶硅薄膜太阳能电池的转换率提高到10%以上，接近当时的国际水平。也正因此，杉杉尤里卡的价值实际上还是在非晶硅薄膜电池上。胡宏勋已经在宁波的杉杉工业园购置160亩土地，2007年将上马2条非晶硅薄膜电池生产线。
 
    
 　　胡宏勋认为薄膜技术将取代晶体硅成为太阳能技术的主流趋势，“2006年世界的高纯硅的产能大概3.5万吨，2007年估计会达到4.5万吨左右，即使全部用来做太阳能电池，也只能做3000多兆瓦，而且它大部分还要供给半导体行业，因此依靠硅材料很难支撑光伏产业的发展”。实际上，施振荣在新南威尔士大学就是从事多晶硅薄膜电池研究的，而现在尚德同样把多晶硅薄膜电池作为公司未来发展的重点。但较单晶硅太阳能电池来说，薄膜太阳能电池光转换率相对比较低，实验室里也只能达到14%，大规模稳定生产的转换率不足10%，其最大的缺点是稳定性比较差，电池寿命相对较短，还有大量技术难关需要突破。

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1．阈值电流。当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。影响阈值的几个因素：

　　（1）晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。
　　（2）谐振腔的损耗小，如增大反射率，阈值就低。
　　（3）与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结的阈值电流大于30000A/cm2；单异质结约为8000A/cm2；双异质结约为1600A/cm2。现在已用双异质结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。
　　（4）温度愈高，阈值越高。100K以上，阈值随T的三次方增加。因此，半导体激光器最好在低温和室温下工作。

　　2．方向性。由于半导体激光器的谐振腔短小，激光方向性较差，在结的垂直平面内，发散角最大，可达20°-30°；在结的水平面内约为10°左右。

　　3．效率。量子效率

　　η＝每秒发射的光子数／每秒到达结区的电子空穴对数
　　77K时，GaAs激光器量子效率达70％－80％；300K时，降到30％左右。
　　功率效率η1＝辐射的光功率／加在激光器上的电功率
　　由于各种损耗，目前的双异质结器件，室温时的η1最高10％，只有在低温下才能达到30％－40％。

　　4．光谱特性。由于半导体材料的特殊电子结构，受激复合辐射发生在能带（导带与价带）之间，所以激光线宽较宽，GaAs激光器，室温下谱线宽度约为几纳米，可见其单色性较差。输出激光的峰值波长：77K时为840nm；300K时为902nm。

法布里-珀罗激光器(FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器，它最大的特点是激光器的谐振腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的FP-LD的制作技术已经相当成熟，普遍采用双异质结多量子阱有源层、载流子与光分别限制的结构。

    半导体激光器由于边界条件的不同，存在三个方向的模式问题。沿激光器输出方向形成的驻波模式称为纵模，垂直于有源层方向的模式称为垂直横模，平行于有源层并和输出方向垂直的模式称为水平横模。在光通信领域中，至少要求激光器工作在基横模状态。对于FP-LD来说，基横模实现比较容易，主要通过控制激光器有源层的厚度和条宽来实现，常用的结构有掩埋异质结、脊波导等。而纵模控制就有一定的困难，FP-LD利用一对相互平行的反射镜进行纵模选择，通常激光器的长度在数百微米的量级，对应的模式间距为1 nm的量级，而激光器的增益谱宽度达100 nm的量级，多纵模激射的可能性相当大。对于一般的FP-LD，当注入电流在阈值电流附近时，可以观察到多个纵模；进一步加大注入电流，谱峰处的某个波长首先激射，消耗了大部分载流子，压制其它模式的激射，有可能形成单纵模工作；当对FP-LD进行高速调制时，原有的激射模式就会发生变化，出现多模工作。这就决定了FP-LD不能应用于高速光纤通信系统。但是相对其它结构的激光器来说，FP-LD的结构和制作工艺最简单，成本最低，适用于调制速率小于622 Mbit/s的光纤通信系统。目前商用的1.3 ?滋m FP-LD阈值电流在10 mA以下，输出功率在10 mW左右(注入电流为2～3 Ith，Ith为阈值电流)因此在光纤接入网中获得广泛应用。    目前FP-LD的主要发展趋势在于研发无制冷器件和进一步降低制作成本。传统的FP-LD的谐振腔通过解理实现，在性能测试的时候需要对解理过的单个尺寸为数百微米量级的激光器进行操作，生产效率较低。如果能用其他方法形成反射镜面，然后在整个衬底上对单个激光器进行测试，则大大提高生产效率并降低成本。采用等离子体刻蚀的方法可以获得垂直光滑的反射镜面，使得这种激光器和传统的端面解理的FP-LD具有相同的性能，并且可以在同一衬底上将激光器和光探测器集成，从而形成了基于整个衬底的激光器加工工艺路线，有可能大大降低成本。

日亚化学工业日前使用GaN类半导体激光器，开发出了亮度接近1000万cd/m2的白色光源。亮度值与高档卤素灯和通用HID灯（高强度放电灯）大体相当。比通常称为点光源的白色发光二极管（LED）高出1位数。可由直径仅1.25mm的圆形出射面得到光通量50lm的白色光。将作为卤素灯和HID灯的替代产品，于2005年下半年开始供应样品。这种白色光源计划将在2005年4月20日～22日于东京BigSight国际会展中心举办的“第15届平板显示器研究开发暨制造技术展”上进行展示。 

　　这次的白色光源首先可得到由采用GaN类材料的蓝色半导体激光器或者蓝紫色半导体激光器射出的光，配合使用对激光器射出的光进行波长转换的荧光材料，便能得到白色光。白色光源由配置半导体激光器的光源部分，和其中一头是涂有荧光材料的发光面的光纤组成。使用光学透镜，将半导体激光器射出的光射入光纤后，就会由光纤另一头涂有荧光材料的发光面将光传播到外部。由于光纤从机械特性上来说很柔软，而且长度能够达到数米，因此通过弯曲光纤，就能将发光面配置到和光源部分不同的位置处。发光时会发热的光源部分由于能够配置在发光面以外的其他位置，因此利用风扇和帕尔贴元件给发光面散热的必要性非常小。 

　　半导体激光器以连续振荡的方式来使用。连续振荡时的功率为200mW左右。使用蓝色半导体的品种发光效率为35lm/W。+4.7V输入电压和300mA输入电流的条件下可得到50lm的光通量。采用蓝紫色半导体激光器的品种发光效率为18lm/W。在+3.7V输入电压和150mA的条件下，可发出光通量10lm的光。平均演色性指数（Ra）方面，采用蓝色半导体激光器的品种为72，采用蓝紫色半导体激光器的品种为87。

半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的Pn结或Pin结为工作物质的一种小型化激光器.半导体激光工作物质有几十种，目前已制成激光器的半导体材料有砷化稼(GaAs)、砷化锢(InAs)、锑化锢(InSb)、硫化锅(cds)、蹄化福(CdTe)、硒化铅(PbSe)、啼化铅(PhTe)、铝稼砷(A1xGa-As)、锢磷砷(In-PxAS)等.

    半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注人式、光泵式和高能电子束激励式.

    绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入，即给Pn结加正向电压，以使在结平面区域产生受激发射，也就是说是个正向偏置的二极管，因此半导体激光器又称为半导体激光二极管.对半导体来说，由于电子是在各能带之间进行跃迁，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确定值，这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上.它们所发出的波长在3-34pm之间.其波长范围决定于所用材料的能带间隙，最常见的是AlGaA:双异质结激光器，其输出波长为750-890nm.

    世界上第一只半导体激光器是1962年问世的，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，它的波长从红外、红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高，其制作技术经历了由扩散法到液相外延法(LPE)，气相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE),MOCVD方法(金属有机化合物汽相淀积)，化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺.其激射闭值电流由几百mA降到几十mA，直到亚mA，其寿命由几百到几万小时，乃至百万小时从最初的低温(77K)下运转发展到宰la下连续工作，输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件)它具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10%以上、最大可达50%).便于直接调制、省电等优点，因此应用领域日益扩大.目前，固定波长半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代.

    半导体激光器最大的缺点是:激光性能受温度影响大，光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展，半导体激光器的研究正向纵深方向推进，半导体激光器的性能在不断地提高.目前半导体激光器的功率可以达到很高的水平，而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21世纪的信息社会中将取得更大的进展，发挥更大的作用.

    本文对半导体激光器的工作原理、发展历史和应用前景作一简略的介绍.

    2  半导体激光器的工作原理

    半导体激光器是一种相干辐射光源，要使它能产生激光，必须具备三个基本条件:(1)增益条件:建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的载流子来实现，将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去.当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用.

    (2)要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜.对F-p腔(法布里一拍罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P一n结平面相垂直的自然解理面构成F一P腔.

    (3)为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗，不断增加腔内的光场.这就必须要有足够强的电流注入，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件.当激光器达到阀值，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出.可见在半导体激光器中，电子和空穴的偶极子跃迁是基本的光发射和光放大过程对于新型半导体激光器而言，人们目前公认量子阱是半导体激光器发展的根本动力.量子线和量子点能否充分利用量子效应的课题已延至本世纪，科学家们已尝试用自组织结构在各种材料中制作量子点，而GaInN量子点已用于半导体激光器.另外，科学家也已经做出了另一类受激辐射过程的量子级联激光器，这种受激辐射基于从半导体导带的一个次能级到同一能带更低一级状态的跃迁，由于只有导带中的电子参与这种过程，因此它是单极性器件.

    3  半导体激光器的发展历史

    20世纪60年代初期的半导体激光器是同质结型激光器，它是在一种材料上制作的pn结二极管在正向大电流注人下，电子不断地向p区注人，空穴不断地向n区注入.于是，在原来的pn结耗尽区内实现了载流子分布的反转，由于电子的迁移速度比空穴的迁移速度快，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在一定的条件下发生激光，这是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器.

    半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如G&As, GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器(1969年).单异质结注人型激光器(SHLD)是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作.

    1970年，实现了激光波长为9000A.室温连续工作的双异质结GaA(砷化稼一稼铝砷)激光器.双异质结激光器(DHL)的诞生使可用波段不断拓宽，线宽和调谐性能逐步提高，其结构的特点是在P型和n型材料之间生长了仅有0.2Eam厚的，不掺杂的，具有较窄能隙材料的一个薄层，因此注人的载流子被限制在该区域内(有源区)，因而注人较少的电流就可以实现载流子数的反转.在半导体激光器件中，目前比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式G&A。二极管激光器.

    随着异质结激光器的研究发展，人们想到如果将超薄膜(<20nm)的半导体层作为激光器的激括层，以致于能够产生量子效应，结果会是怎么样?再加之由于MBE,MOCVD技术的成就，于是，在1978年出现了世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，它大幅度地提高了半导体激光器的各种性能.后来，又由于MOCVD,MBE生长技术的成熟，能生长出高质量超精细薄层材料，之后，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，量子阱半导体激光器与双异质结(DH)激光器相比，具有阑值电流低、输出功率高，频率响应好，光谱线窄和温度稳定性好和较高的电光转换效率等许多优点.

    QWL在结构上的特点是它的有源区是由多个或单个阱宽约为100人的势阱所组成，由于势阱宽度小于材料中电子的德布罗意波的波长，产生了量子效应，连续的能带分裂为子能级.因此，特别有利于载流子的有效填充，所需要的激射阅值电流特别低.半导体激光器的结构中应用的主要是单、多量子阱，单量子阱(SQW)激光器的结构基本上就是把普通双异质结(DH)激光器的有源层厚度做成数十nm以下的一种激光器，通常把势垒较厚以致于相邻势阱中电子波函数不发生交迭的周期结构称为多量子阱(MQW).量子阱激光器单个输出功率现已大于1w，承受的功率密度已达lOMW/cm3以上而为了得到更大的输出功率，通常可以把许多单个半导体激光器组合在一起形成半导体激光器列阵。

    因此，量子阱激光器当采用阵列式集成结构时，输出功率则可达到l00w以上.近年来，高功率半导体激光器(特别是阵列器件)飞速发展，已经推出的产品有连续输出功率5W,10W,20W和30W的激光器阵列.脉冲工作的半导体激光器峰值输出功率50w，120W和1500W的阵列也已经商品化.一个4.5cm×9cm的二维阵列，其峰值输出功率已经超过45BW.峰值输出功率为350KW的二维阵列也已间世，从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器(连续输出功率在100以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器)在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到600W[61.如果从激光波段的被扩展的角度来看，先是红外半导体激光器，接着是670nm红光半导体激光器大量进人应用，接着，波长为650nm,635nm的问世，蓝绿光、蓝光半导体激光器也相继研制成功，l0mw量级的紫光乃至紫外光半导体激光器，也在加紧研制中为适应各种应用而发展起来的半导体激光器还有可调谐半导体激光器，电子束激励半导体激光器以及作为“集成光路”的最好光源的分布反馈激光器(DFB一LD)，分布布喇格反射式激光器(DBR一LD)和集成双波导激光器.另外，还有高功率无铝激光器(从半导体激光器中除去铝，以获得更高输出功率，更长寿命和更低造价的管子)、中红外半导体激光器和量子级联激光器等等.其中，可调谐半导体激光器是通过外加的电场、磁场、温度、压力、掺杂盆等改变激光的波长，可以很方便地对输出光束进行调制.分布反馈(DFB)式半导体激光器是伴随光纤通信和集成光学回路的发展而出现的，它于1991年研制成功，分布反馈式半导体激光器完全实现了单纵模运作，在相干技术领域中又开辟了巨大的应用前景它是一种无腔行波激光器，激光振荡是由周期结构(或衍射光栅)形成光藕合提供的，不再由解理面构成的谐振腔来提供反馈，优点是易于获得单模单频输出，容易与纤维光缆、调制器等辆合，特别适宜作集成光路的光源.

    单极性注入的半导体激光器是利用在导带内(或价带内)子能级间的热电子光跃迁以实现受激光发射，自然要使导带和价带内存在子能级或子能带，这就必须采用量子阱结构.单极性注人激光器能获得大的光功率输出，是一种商效率和超商速响应的半导体激光器，并对发展硅基激光器及短波激光器很有利.量子级联激光器的发明大大简化了在中红外到远红外这样宽波长范围内产生特定波长激光的途径.它只用同一种材料，根据层的厚度不同就能得到上述波长范围内的各种波长的激光.同传统半导体激光器相比，这种激光器不需冷却系统，可以在室温下稳定操作.低维(量子线和量子点)激光器的研究发展也很快，日本okayama的GaInAsP/Inp长波长量子线(Qw+)激光器已做到90kCW工作条件下Im  =6A,l=37A/cm2并有很高的量子效率.众多科研单位正在研制自组装量子点(QD)激光器，目前该QDLD已具有了高密度，高均匀性和高发射功率.由于实际需要，半导体激光器的发展主要是围绕着降低阔值电流密度、延长工作寿命、实现室温连续工作，以及获得单模、单频、窄线宽和发展各种不同激射波长的器件进行的.

    20世纪90年代出现并特别值得一提的是面发射激光器(SEL)，早在1977年，人们就提出了所谓的面发射激光器，并于1979年做出了第一个器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面发射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面发射激光器在室温下达到亚毫安的网电流,8mW的输出功率和11%的转换效率。前面谈到的半导体激光器，从腔体结构上来说，不论是F一P(法布里一泊罗)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔，激光输出都是在水平方向，统称为水平腔结构.它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下表面镀上反射膜构成了垂直方向的F一p腔，光输出沿着垂直于衬底片的方向发出，垂直腔面发射半导体激光器(VCSEIS)是一种新型的量子阱激光器，它的激射阔值电流低，输出光的方向性好，藕合效率高，能得到相当强的光功率输出，垂直腔面发射激光器已实现了工作温度最高达71摄氏度. 20世纪90年代末，面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展，且已考虑了在超并行光电子学中的多种应用.980mn,850nm和780nm的器件在光学系统中已经实用化.目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络。

    为了满足21世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需要，半导体激光器的发展趋势主要在高速宽带LD、大功率ID,短波长LD,盆子线和量子点激光器、中红外LD等方面.目前，在这些方面取得了一系列重大的成果.

    4  半导体激光器的应用

    半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850mn波长的半导体激光器适用于)1Gb/s。局域网，1300mn-1550nm波长的半导体激光器适用于1OGb局域网系统.半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术.半导体激光器在激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。

    1978年，半导体激光器开始应用于光纤通信系统，半导体激光器可以作为光纤通信的光源和指示器以及通过大规模集成电路平面工艺组成光电子系统.由于半导体激光器有着超小型、高效率和高速工作的优异特点，所以这类器件的发展，一开始就和光通信技术紧密结合在一起，它在光通信、光变换、光互连、并行光波系统、光信息处理和光存贮、光计算机外部设备的光祸合等方面有重要用途.半导体激光器的问世极大地推动了信息光电子技术的发展，到如今，它是当前光通信领域中发展最快、最为重要的激光光纤通信的重要光源.半导体激光器再加上低损耗光纤，对光纤通信产生了重大影响，并加速了它的发展.因此可以说，没有半导体激光器的出现，就没有当今的光通信.GaAs/GaAlA。双异质结激光器是光纤通信和大气通信的重要光源，如今，凡是长距离、大容量的光信息传输系统无不都采用分布反馈式半导体激光器(DFB一LD).半导体激光器也广泛地应用于光盘技术中，光盘技术是集计算技术、激光技术和数字通信技术于一体的综合性技术.是大容t.高密度、快速有效和低成本的信息存储手段，它需要半导体激光器产生的光束将信息写人和读出.

    下面我们具体来看看几种常用的半导体激光器的应用:

    量子阱半导体大功率激光器在精密机械零件的激光加工方面有重要应用，同时也成为固体激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可靠性和小型化的优点，导致了固体激光器的不断更新.

    在印刷业和医学领域，高功率半导体激光器也有应用.另外，如长波长激光器(1976年，人们用GaInAsP/InP实现了长波长激光器)用于光通信，短波长激光器用于光盘读出.自从NaKamuxa实现了GaInN/GaN蓝光激光器，可见光半导体激光器在光盘系统中得到了广泛应用，如CD播放器，DVD系统和高密度光存储器可见光面发射激光器在光盘、打印机、显示器中都有着很重要的应用，特别是红光、绿光和蓝光面发射激光器的应用更广泛.蓝绿光半导体激光器用于水下通信、激光打印、高密度信息读写、深水探测及应用于大屏幕彩色显示和高清晰度彩色电视机中.总之，可见光半导体激光器在用作彩色显示器光源、光存贮的读出和写人，激光打印、激光印刷、高密度光盘存储系统、条码读出器以及固体激光器的泵浦源等方面有着广泛的用途.量子级联激光的新型激光器应用于环境检测和医检领域.另外,由于半导体激光器可以通过改变磁场或调节电流实现波长调谐，且已经可以获得线宽很窄的激光输出，因此利用半导体激光器可以进行高分辨光谱研究.可调谐激光器是深人研究物质结构而迅速发展的激光光谱学的重要工具大功率中红外(3.5lm)LD在红外对抗、红外照明、激光雷达、大气窗口、自由空间通信、大气监视和化学光谱学等方面有广泛的应用.

    绿光到紫外光的垂直腔面发射器在光电子学中得到了广泛的应用，如超高密度、光存储.近场光学方案被认为是实现高密度光存储的重要手段.垂直腔面发射激光器还可用在全色平板显示、大面积发射、照明、光信号、光装饰、紫外光刻、激光加工和医疗等方面、如前所述，半导体激光器自20世纪80年代初以来，由于取得了DFB动态单纵模激光器的研制成功和实用化，量子阱和应变层量子阱激光器的出现，大功率激光器及其列阵的进展，可见光激光器的研制成功，面发射激光器的实现、单极性注人半导体激光器的研制等等一系列的重大突破，半导体激光器的应用越来越广泛，半导体激光器已成为激光产业的主要组成部分，目前已成为各国发展信息、通信、家电产业及军事装备不可缺少的重要基础器件.

    —-朗讯科技公司下属研发机构贝尔实验室的科学家们近日成功研制出世界上首款能够在红外波长光谱范围内持续可靠地发射光的新型半导体激光器。新设备克服了原有宽带激光发射过程中存在的缺陷，在先进光纤通信和感光化学探测器等领域有着广阔的潜在应用。相关的制造技术可望成为未来用于光纤的高性能半导体激光器的基础。

    —-有关新激光器性质的论文刊登2002年2月21日出版的《自然》杂志上。文章主要作者、贝尔实验室物理学家Claire  Gmachl断言：“超宽带半导体激光器可用来制造高度敏感的万用探测器，以探测大气中的细微污染痕迹，还可用于制造诸如呼吸分析仪等新的医疗诊断工具。”

    —-半导体激光器是一种非常方便的光源，具备紧凑、耐用、便携和强大等特点。然而，典型半导体激光器通常为窄带设备，只能以特有波长发出单色光。相比之下，超宽带激光器具有显著的优势，可以同时在更宽的光谱范围内选取波长。制造出可在范围广泛的操作环境下可靠运行的超宽带激光器正是科学家们长久以来追求的一个目标。

    —-为了研制出新型的激光器，贝尔实验室科学家们采用了650余种光子学中使用的标准半导体材料，并将其叠放在一起组成一个“多层三明治”。这些层面共分为36组，其中不同层面组在感光属性方面有着细微的差别，并在特有的短波长范围内生成光，同时与其他各组之间保持透明.所有这些层面组结合在一起，就能发射出宽带激光。

    —-新型激光器隶属于一种称为量子瀑布（QC）激光器的高性能半导体激光器。QC激光器由Federico  Capasso和AlfredCho及其同事于1994年在贝尔实验室发明，其操作过程非常类似于一道电子瀑布。当电流通过激光器时，电子瀑布将沿着能量阶梯奔流而下；每当其撞击一级阶梯时，就会放射出红外光子。这些红外光子在包含电子瀑布的半导体共振器内前后反射，从而激发出其他光子。这一放大过程将产生出很高的输出能量。

    —-超宽带激光器可在6~8微米红外波长范围产生1.3瓦的峰值能量。Gmachl指出：“从理论上讲，波长范围可以更宽或更窄。选择6~8微米范围波长发射激光，目的是更令人信服地演示我们的想法。未来，我们可以根据诸如光纤应用等具体应用的特定需求量身定制激光器。

以上所说的两个软件主要是用于半导体激光器的器件级仿真，而光学方面的仿真功能较弱。美国的Optiwave公司是世界领先的光学软件公司，其产品OptiBPM可以对波导的传输特性进行全面的仿真，同时进行参数优化。其算法非常优化，且界面友好。

    2．GaN基半导体激光器仿真的问题与难点

    半导体激光器是一个典型的受限载流子（电子＋空穴）和光子（不同纵、横模式，受激和自发辐射）系统，GaN基LD的基础结构更是一个大失配的多量子阱体系。这大大增加了GaN基半导体激光器的仿真难度。目前用于开发量子阱激光器二维模拟软件的方法一般采用求解二维电学, 光学, 热学方程, 其中运用增益经验公式或平带增益计算结果。因其方法过于近似化, 不能得到精确的载流子分布。然而，过于精确的求解会使计算量大得惊人，很容易超过目前计算机的计算机极限。

    半导体激光器是一个光、电、热耦合的复杂量子体系，且个物理量之间耦合性非常强。在光存储系统应用中, 要求激光器能工作在0～ 80℃之间. 通过改善激光器的温度特性能确保器件实现高温下稳定工作, 真正达到的实用化。因此温度是一个非常重要的物理量。然而，在半导体激光器中，温度对其它参量的影响非常大。温度对载流子浓度的影响是指数关系，而载流子浓度会影响电流分布，反过来又会影响温度场的分布。这是一个高度非线性的耦合。同时，光场的分布也会影响载流子和温度的分布，这个耦合关系则更为复杂。

    对于GaN基半导体激光器而言，GaN基半导体激光器结构比较复杂，从上到下一般有8~10层材料，而量子阱中更是有很多结构细微的超薄层。整个器件的尺寸差异极大，这在数值计算时容易带来很大的误差。同时，波导中传播模式的问题属于特征值问题，在网格数很多时特征值的求解会变得非常困难，而且由于波的传播是一个无限空间的问题，其特征值的求解往往需要反复迭代，这使求解速度变得非常缓慢。

    GaN基半导体激光器的仿真最大的一个问题在于，GaN基半导体激光器目前的制造工艺还很不完善，器件中存在大量缺陷，这就破坏了仿真的理想假设条件，这给仿真结果的有效性带来了很大的影响。

    针对GaN基半导体激光器的仿真所存在的问题，我们应当对其仿真程序进行针对性优化。首先，我们可以根据一些GaN基半导体激光器实际制造中的情况，作一些合理的简化假设。其次，我们可以对GaN基半导体激光器中特殊的器件结构，如量子阱，设计专门的求解器，加速求解过程。最后，要有效的结合实验结果，不断对仿真程序进行改进�