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少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统

硅片少子寿命测试系统

少子寿命测试仪 WCT-120suns-Voc测试仪

美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术,包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线,与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。


常见问题:

美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异?

WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导)而WT2000是微波光电导。

 

WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理?

 

WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导)

 

准稳态光电导衰减法(QSSPC)和微波光电导衰减法(MWPCD)的比较?
  QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量,同时可以结合 SRH模型,得出各种复合寿命,如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。
  MWPCD方法测试的信号是一个微分信号,而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值,MWPCD在加偏置光的情况下,结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线,而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度,因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线,并且得到PN结的暗饱和电流密度;MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个,甚至更小的尺寸,在照射过程中,只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子,也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值,这对于寿命分布不均匀的样品来说,结果并不具备代表性。

 

少子寿命测试仪性能参数? 

  1. 测量原理  QSSPC(准稳态光电导)  
  2. 少子寿命测量范围  100 ns-10 ms
  3. 测试模式:QSSPC,瞬态,寿命归一化分析
  4. 电阻率测量范围  3600 (undoped) Ohms/sq.
  5. 注入范围:1013-1016cm-3
  6. 感测器范围  直径40-mm
  7. 测量样品规格  标准直径: 40210 mm (或更小尺寸)
  8. 硅片厚度范围  102000  μm
  9. 外界环境温度  20°C25°C
  10. 功率要求  测试仪: 40 W   电脑控制器:200W 光源:60W
  11. 通用电源电压  100240 VAC 50/60 Hz


少子寿命测试仪成功使用用户?

服务众多光伏用户:
江苏,上海,北京,浙江,西安,四川,河北,河南等地的硅料生产企业及半导体光伏拉晶企业等等。

 

一、采购项目名称:硅片少子寿命测试系统、溶剂净化系统等
二、采购代理机构 :杭州求是招标代理有限公司
三、确定成交日期2010年11月16日
四、本项目公告日期 2010年11月4日、11月5日
五、项目成交单位
硅片少子寿命测试系统(z9264):上海瞬渺光电技术有限公司

 


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少子寿命测试仪一款功能强大的少子寿命测试仪,不仅适用于硅片少子寿命的测量,更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1μs到6000μs,硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控,少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况,是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。

少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。
  半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如,在 N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
  多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子,因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子,尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子,但它束缚在晶格中,不能象载流子那样起导电作用。这样,与本征激发浓度相比,N型半导体中自由电子浓度大大增加了,而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大,其浓度反而更小了。
  少子浓度主要由本征激发决定,所以受温度影响较大。
 

少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响.分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC)

少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的精确描述起着重要作用,特别是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。
  太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。
  少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法(ASTM国际标准-1535)的测试原理,提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试,主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子,再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化,从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒,硅片的出厂、进厂检查,生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域,少子寿命将直接关系到成品电池的效率,是必备的检测手段。
  少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度,即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数,它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响,可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。
  少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法(SEMI国际标准-1535)的测试原理,即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子,再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化,从而计算出少子寿命值,为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级,分辨率达1%,测试结果准确性好、重复性高,完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法

主要特点:
  适应低电阻率样片的测试需要,最小样品电阻率可达0.1ohmcm
  全自动操作及数据处理
  对太阳能级硅片,测试前一般不需钝化处理
  能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭
  可以选择测试样品上任意位置
  能提供专利的表面化学钝化处理方法
  对各道工序的样品均可进行质量监控:
  硅棒、切片的出厂、进厂检查
  扩散后的硅片
  表面镀膜后的硅片以及成品电池

少子寿命测试仪 Life time测试仪 美国Sinton公司 WCT-120少子寿命测试仪

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