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Excelitas CE30956EH 1060nm增强Si雪崩光电二极管
 
   
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Excelitas CE30956EH 1060nm增强Si雪崩光电二极管

Excelitas CE30956EH 1060nm增强Si雪崩光电二极管

  • 货  号:OEL001556
  • 品  牌:Duma
  • 销售价:
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  (库存10)
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产品属性
有效直径 3mm
有效面积 7mm2
封装形式 TO-8
发散角α1 132°
发散角α2 150°
击穿电压 400V
温度系数 2.4V/°C
增益 75
响应度@900nm 45A/W
响应度@1060nm 25A/W
响应度@1150nm 3.5A/W
量子效率@900nm 85%
量子效率@1060nm 40%
量子效率@1150nm 5%
暗电流 100nA
噪声电流 0.8pA/Hz
电容 10pF
串联电阻 15?(Max)
上升/下降时间 2ns
反向偏置电流 200uA(Max)
光电流密度 5mA/mm2
正向电流 5mA
存储温度 -60℃ to +100℃
工作温度 -40℃ to +70℃

产品简介

C30956H增强型Si雪崩光电二极管采用的是双扩散的“reach-though”结构。这种光电二极管的特点是其在长波(>900nm)波段响应增强。这些雪崩光电二极管在1060nm的量子效率高达40 %,同时,该二极管保持了低噪声、低电容及上升和下降时间迅速的特征。为了简化设计,这些雪崩光电二极管也用于生产高性能带前置放大器模块的C30659 系列,而且还可用于前置放大器加温度致冷器合并模块LLAM 系列。

 

产品特性

■ 1060 nm波长高量子效率

■ 快速响应时间

■ 宽的工作温度范围

■ 低电容

■ 密封包装

■ RoHS 适应

 

应用范围

■ 测距

激光雷达

■ YAG 激光探测

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