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电化学CV分布仪(CV测试仪)电化学CV剖面分析仪,电化学CV载流子浓度深度分布测试仪,WAFER PROFILER CVP

 
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全自动电化学CV 分布仪 CVP21

本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上, 例如:Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.
CVP 21 的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率,准确的测量半导体材料(结构,层)中的掺杂浓度分布.选用合适的电解液与材料接触,腐蚀,从而得到材料的掺杂浓度分布电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制

CVP21
的系统特点
坚固可靠的模块化系统结构 .光学,电子和化学部分相对独立.
精确的测量电路模块
强力的控制软件,系统操作,使用简便
完善的售后服务体系


特别推荐硅太阳能电池研究单位使用
知名用户:
(Shin-Etsu SEH or ISFH)In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.
在德国和日本都有很多太阳能电池用户使用,鉴于商业保密需要不能公开。


全自动电化学CV分布仪
全自动电化学CV 分布仪 CVP21
有效检测:

 

德国WEP (DAGE 集团)生产

产品完美结合我们在电化学方分布测试方面超过30年的经验和世界上最先进的电路系统。 

全自动, 特别适用于新材料, 如氮化镓, 碳化硅材料等。 

有效检测:

  • 外延材料
  • 扩散
  • 离子注入
 
适用材料:
  • Si, Ge, SiC
  • III-V: GaAs, InP, …
  • Ternary: AlGaAs, GaInP, …
  • Quaternary: AlGaInP, …
  • Nitrides: GaN, …
  • Stacked layer combinations
 
载流子浓度测量范围:
  • 最大 1021/cm³
  • 最小 1011/cm³
深度解析度:
  • 最大无上限
  • 最小可至1 nm (或更低)
模块化系统结构:
  • 拓扑型结构
  • 实时监控腐蚀过程
  • 适于微小样品及大尺寸的晶圆
全自动化系统:

精密的电路,电子系统

强力的软件

 

WAFER PROFILER CVP 21 

from WEP Control 

Quality monitoring after:

Epitaxy

Diffusion

Ion implantation

Semiconductor materials:

Si , Ge, SiC

III-V: GaAs, InP, …

Ternary: AlGaAs, GaInP, …

Quaternary: AlGaInP, …

Nitrides: GaN, …

Stacked layer combinations

Measures the doping, range:

Maximum 1022/cm3Minimum 1012/cm3

Depth resolution adjustable:

Maximum not restricted

Minimum  approx. 1nm

Modular mechanical system:

Topography measurements

Small samples and wafers

Fully automated system:

Hi rel electronics

State of the art software

This equipment may be used to evaluate and control epitaxial processes in the

semiconductor production and has been applied to a wide variety of materials, like

Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.

It is a clean room designed equipment to measure doping profiles in semiconductor

layers with high reproducibility. An electrolyte is placed in contact with the

semiconductor surface. Capacity voltage scans and etch steps are performed

automatically by software control.

The equipment is characterized by its rigid and reliable mechanical and optical system,

precise measurement electronics with a very wide dynamic range, and

easy to use and powerful control software.


The Wafer Profiler CVP21 has a large amount of benefits over other ECV Profiling equipment:

 


参考资料:

http://www.compoundsemiconductor.net/press/11296

Dage ships CV-profiler to Spanish solar institute
Date announced: 31 Jan 2006
Dage EEV, a supplier of characterisation equipment and materials, is shipping an electrochemical CV Wafer Profiler CVP21 to the Instituto de Energia Solar in Madrid. The CVP21 will be used to analyze carrier concentration profiles for solar cell applications in III-V semiconductors and silicon.
The ECV-Profiler CVP21 can be used to check the doping in planar semiconductor structures, such as as-grown crystals, and epitaxial layers. Dage says that the CVP21 is a completely new piece of equipment that ensures operator-independent measurements with high reproducibility and precision.
The CVP21 can measure a very wide range of samples ranging from 2x2 mm2 samples to complete 8 inch wafers. A further option is the installation of a wafer stepper for wafer topography measurements. Its electronic system means that a wide range of doping levels can be measured from 1012 to 1022 cm-3.
The profiler’s fluid system ensures automatic handling of the complete measurement process including loading/unloading of the electrolyte and the processing of sophisticated etch schemes for semiconductors where etching is problematic. The software is production proof and is optimized to be operator friendly, including fully automated operation, rich evaluation possibilities and wafer topography tools, says the company.
According to Dage, compared to Hall measurements or spreading resistance profiling, ECV-Profiling has the advantage that epi layers may be measured without restriction to substrate conductivity, because ECV-Profiling analyzes only the surface capacitance of the semiconductor. In addition, the sample does not need to be broken or structured, so even large wafers may be measured at a small measurement point without the destruction of the wafer.
Often the measurement is used for calibration of epitaxial equipment. In this case ECV-Profiling has the further advantages that several layers may be measured in one process, and that information is gathered about the quality of the interface and the homogeneity of the doping throughout the layer, says Dage.
The materials which can be measured include silicon and germanium, standard III-V semiconductors such as GaAs, InP, the ternary and quaternary combinations as such as AlGaAs, InAlGaP, and wide bandgap semiconductors such as GaN, AlGaN, AlInN, SiC or ZnO. Compared to SIMS, ECV-Profiling has several advantages, because it measures electrical activation of the dopants and offers quick and straightforward operation without the need for material calibration runs.
In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.
太阳能电池的工作原理及工作效率
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源.也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域, 是其中最受瞩目的项目之一。为此,人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:1、硅太阳能电池;2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;3、功能高分子材料制备的大阳能电池;4、纳米晶太阳能电池等。不论以何种材料来制作电池,对太阳能电池材料一般的要求有:1、半导体材料的禁带不能太宽;②要有较高的光电转换效率:3、材料本身对环境不造成污染;4、材料便于工业化生产且材料性能稳定。基于以上几个方面考虑,硅是最理想的太阳能电池材料,这也是太阳能电池以硅材料为主的主要原因。但随着新材料的不断开发和相关技术的发展,以其它村料为基础的太阳能电池也愈来愈显示出诱人的前景。本文简要地综述了太阳能电池的种类及其研究现状,并讨论了太阳能电池的发展及趋势。 1 硅系太阳能电池 1.1 单晶硅太阳能电池 硅系列太阳能电池中,单晶硅大阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟,在电池制作中,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面,德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化,制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合.通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率:通过以上制得的电池转化效率超过23%,是大值可达23.3%。Kyocera公司制备的大面积(225cm2)单电晶太阳能电池转换效率为19.44%,国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发,研制的平面高效单晶硅电池(2cm X 2cm)转换效率达到19.79%,刻槽埋栅电极晶体硅电池(5cm X 5cm)转换效率达8.6%。 单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响,致使单晶硅成本价格居高不下,要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料,寻找单晶硅电池的替代产品,现在发展了薄膜太阳能电池,其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。 1.2 多晶硅薄膜太阳能电池 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜,但由于生长的硅膜晶粒大小,未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜,人们一直没有停止过研究,并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上,衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现,在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶硅层退火,得到较大的晶粒,然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜,因此,再结晶技术无疑是很重要的一个环节,目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外,另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术,这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZ Si衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19%,日本三菱公司用该法制备电池,效率达16.42%。 液相外延(LPE)法的原理是通过将硅熔融在母体里,降低温度析出硅膜。美国Astropower公司采用LPE制备的电池效率达12.2%。中国光电发展技术中心的陈哲良采用液相外延法在冶金级硅片上生长出硅晶粒,并设计了一种类似于晶体硅薄膜太阳能电池的新型太阳能电池,称之为“硅粒”太阳能电池,但有关性能方面的报道还未见到。 多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少,又无效率衰退问题,并且有可能在廉价衬底材料上制备,其成本远低于单晶硅电池,而效率高于非晶硅薄膜电池,因此,多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。 1.3 非晶硅薄膜太阳能电池 开发太阳能电池的两个关键问题就是:提高转换效率和 降低成本。由于非晶硅薄膜太阳能电池的成本低,便于大规模生产,普遍受到人们的重视并得到迅速发展,其实早在70年代初,Carlson等就已经开始了对非晶硅电池的研制工作,近几年它的研制工作得到了迅速发展,目前世界上己有许多家公司在生产该种电池产品。 非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料,但由于其光学带隙为1.7eV, 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感,这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外,其光电效率会随着光照时间的延续而衰减,即所谓的光致衰退S一W效应,使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池,叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于:①它把不同禁带宽度的材科组台在一起,提高了光谱的响应范围;②顶电池的i层较薄,光照产生的电场强度变化不大,保证i层中的光生载流子抽出;③底电池产生的载流子约为单电池的一半,光致衰退效应减小;④叠层太阳能电池各子电池是串联在一起的。 非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法有很多,其中包括反应溅射法、PECVD法、LPCVD法等,反应原料气体为H2稀释的SiH4,衬底主要为玻璃及不锈钢片,制成的非晶硅薄膜经过不同的电池工艺过程可分别制得单结电池和叠层太阳能电池。目前非晶硅太阳能电池的研究取得两大进展:第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到13%,创下新的记录;第二.三叠层太阳能电池年生产能力达5MW。美国联合太阳能公司(VSSC)制得的单结太阳能电池最高转换效率为9.3%,三带隙三叠层电池最高转换效率为13%,见表1 上述最高转换效率是在小面积(0.25cm2)电池上取得的。曾有文献报道单结非晶硅太阳能电池转换效率超过12.5%,日本中央研究院采用一系列新措施,制得的非晶硅电池的转换效率为13.2%。国内关于非晶硅薄膜电池特别是叠层太阳能电池的研究并不多,南开大学的耿新华等采用工业用材料,以铝背电极制备出面积为20X20cm2、转换效率为8.28%的a-Si/a-Si叠层太阳能电池。 非晶硅太阳能电池由于具有较高的转换效率和较低的成本及重量轻等特点,有着极大的潜力。但同时由于它的稳定性不高,直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题,那么,非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。 2 多元化合物薄膜太阳能电池 为了寻找单晶硅电池的替代品,人们除开发了多晶硅、非晶硅薄膜太阳能电池外,又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中,尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高,成本较单晶硅电池低,并且也易于大规模生产,但由于镉有剧毒,会对环境造成严重的污染,因此,并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代 砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料,其能隙为1.4eV,正好为高吸收率太阳光的值,因此,是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术,其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V比率、总流量等诸多参数的影响。 除GaAs外,其它III-V化合物如Gasb、GaInP等电池材料也得到了开发。1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳能电池转换效率为24.2%,为欧洲记录。首次制备的GaInP电池转换效率为14.7%.见表2。另外,该研究所还采用堆叠结构制备GaAs,Gasb电池,该电池是将两个独立的电池堆叠在一起,GaAs作为上电池,下电池用的是Gasb,所得到的电池效率达到31.1%。 铜铟硒CuInSe2简称CIC。CIS材料的能降为1.leV,适于太阳光的光电转换,另外,CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此,CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。 CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜、铟和硒,硒化法是使用H2Se叠层膜硒化,但该法难以得到组成均匀的CIS。CIS薄膜电池从80年代最初8%的转换效率发展到目前的15%左右。日本松下电气工业公司开发的掺镓的CIS电池,其光电转换效率为15.3%(面积1cm2)。1995年美国可再生能源研究室研制出转换效率为17.l%的CIS太阳能电池,这是迄今为止世界上该电池的最高转换效率。预计到2000年CIS电池的转换效率将达到20%,相当于多晶硅太阳能电池。 CIS作为太阳能电池的半导体材料,具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点,将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源,由于铟和硒都是比较稀有的元素,因此,这类电池的发展又必然受到限制。 3 聚合物多层修饰电极型太阳能电池 在太阳能电池中以聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制爸的研究方向。其原理是利用不同氧化还原型聚合物的不同氧化还原电势,在导电材料(电极)表面进行多层复合,制成类似无机P-N结的单向导电装置。其中一个电极的内层由还原电位较低的聚合物修饰,外层聚合物的还原电位较高,电子转移方向只能由内层向外层转移;另一个电极的修饰正好相反,并且第一个电极上两种聚合物的还原电位均高于后者的两种聚合物的还原电位。当两个修饰电极放入含有光敏化剂的电解波中时.光敏化剂吸光后产生的电子转移到还原电位较低的电极上,还原电位较低电极上积累的电子不能向外层聚合物转移,只能通过外电路通过还原电位较高的电极回到电解液,因此外电路中有光电流产生。 由于有机材料柔性好,制作容易,材料来源广泛,成本底等优势,从而对大规模利用太阳能,提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始,不论是使用寿命,还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品,还有待于进一步研究探索。 4 纳米晶化学太阳能电池 在太阳能电池中硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的,但由于成本居高不下,远不能满足大规模推广应用的要求。为此,人们一直不断在工艺、新材料、电池薄膜化等方面进行探索,而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。 自瑞士Gratzel教授研制成功纳米TiO2化学大阳能电池以来,国内一些单位也正在进行这方面的研究。纳米晶化学太阳能电池(简称NPC电池)是由一种在禁带半导体材料修饰、组装到另一种大能隙半导体材料上形成的,窄禁带半导体材料采用过渡金属Ru以及Os等的有机化合物敏化染料,大能隙半导体材料为纳米多晶TiO2并制成电极,此外NPC电池还选用适当的氧化一还原电解质。纳米晶TiO2工作原理:染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态,激发态不稳定,电子快速注入到紧邻的TiO2导带,染料中失去的电子则很快从电解质中得到补偿,进入TiO2导带中的电于最终进入导电膜,然后通过外回路产生光电流。 纳米晶TiO2太阳能电池的优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10%以上,制作成本仅为硅太阳电池的1/5~1/10.寿命能达到2O年以上。但由于此类电池的研究和开发刚刚起步,估计不久的将来会逐步走上市场。 5 太阳能电池的发展趋势 从以上几个方面的讨论可知,作为太阳能电池的材料,III-V族化合物及CIS等系由稀有元素所制备,尽管以它们制成的太阳能电池转换效率很高,但从材料来源看,这类太阳能电池将来不可能占据主导地位。而另两类电池纳米晶太阳能电池和聚合物修饰电极太阳能电地存在的问题,它们的研究刚刚起步,技术不是很成熟,转换效率还比较低,这两类电池还处于探索阶段,短时间内不可能替代应系太阳能电池。因此,从转换效率和材料的来源角度讲,今后发展的重点仍是硅太阳能电池特别是多晶硅和非晶硅薄膜电池。由于多晶硅和非晶硅薄膜电池具有较高的转换效率和相对较低的成本,将最终取代单晶硅电池,成为市场的主导产品。 提高转换效率和降低成本是太阳能电池制备中考虑的两个主要因素,对于目前的硅系太阳能电池,要想再进一步提高转换效率是比较困难的。因此,今后研究的重点除继续开发新的电池材料外应集中在如何降低成本上来,现有的高转换效率的太阳能电池是在高质量的硅片上制成的,这是制造硅太阳能电池最费钱的部分。因此,在如何保证转换效率仍较高的情况下来降低衬底的成本就显得尤为重要。也是今后太阳能电池发展急需解决的问题。近来国外曾采用某些技术制得硅条带作为多晶硅薄膜太阳能电池的基片,以达到降低成本的目的,效果还是比较现想的。

http://www.rayscience.com/cv/27594.pdf
http://www.rayscience.com/cv/ECVBSF.pdf
电化学ECV与其他方法比较表
http://www.rayscience.com/cv/flyer-cvp21.pdf
http://www.rayscience.com/cv/Heterojunctions.pdf
http://www.rayscience.com/cv/ISFH.pdf
http://www.rayscience.com/cv/ISFHECV.pdf
http://www.rayscience.com/cv/KonstanzECV-Profiles.pdf
http://www.rayscience.com/cv/Letter_of_Excellence_Distributor_for_Rayscience.pdf
http://www.rayscience.com/cv/semiconductortoday.pdf
http://www.rayscience.com/cv/wepsellscvp21.pdf

俄用非晶态硅代替晶体硅制造全新太阳能电池

 

 
    俄罗斯著名的克尔德什研究中心开发出可用于火星探测的新型太阳能电池,并研制出使用廉价的惰性气体氪或者氩作燃料的探测器发动机,可使火星探测的成本减少80%%。 

 

  俄研究人员研制的全新太阳能电池是在用廉价的非晶态硅代替太阳能电池中的昂贵的晶体硅或砷化镓半导体材料的基础研制成功的。在衬底上镀非晶态硅膜要比生长单晶硅膜便宜得多,同时在技术上更为简单。为了提高太阳能电池的有效系数,研究人员使用了新的技术工艺:借助于很细的激光束在非晶态硅膜上建立“量子坑”。这个“量子坑”就是大小为2个纳米的原子结构段。它们相距10个纳米,严格地排列在薄膜表面。这些“量子坑”是人为地在非晶态薄膜表面形成的有序状态,性能类似于单晶。研究人员在实验中发现,这种假单晶的效率与真正的单晶体一样好。因此,用这样的“量子坑”薄膜制成的太阳能电池的成本将大大降低。另外,研究人员设法使太阳能电池的衬底不是用厚度为100微米、而是用20微米的钢薄膜制成,还可再降低太阳能电池的重量,也意味降低了发射的成本。 

 

  同时,为了在火星探测的往返途中合理的使用来自太阳能的电能,而不使用液体燃料,研究人员研制出了新的使用氪气或者氩气发动机,取代昂贵的使用氙气的发动机。目前,用氙气做燃料的发动机只在很小的卫星中使用,但氙气要比氪气或者氩气昂贵得多。研究人员发现,在火星探测中,电离廉价的惰性气体氪或者氩作发动机燃料也可以保证足够的能量。 

 

  研究人员在与俄宇航部门的合作研究中发现,如果俄航天部门原计划在2018年实施的火星探测需要1000亿美元的话,使用新的太阳能电池和用氪气或者氩气作燃料的发动机,可将成本降低到200亿美元。

 

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