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美国QPC Lasers公司简介 QPC Lasers 是集研发与制造新一代超高亮度、高功率半导体激光器的业界领先者，发明创新的BrightLase TM 技术、Internal Gratings内刻蚀光栅技术以及单模单频技术都赢得业界的赞誉和尊重，满足并将推动新一代应用场合对高亮度半导体激光器的需求。 QPC Lasers 创立于2000年，在美国的洛杉矶建立了一个最先进的高科技研发和生产基地，实现了从芯片生长到封装测试到精密的装配生产一体化。产品已运用于工业，医疗，国防等领域。 QPC Lasers是一家已获得ISO质量体系认证的上市公司。
QPC公司是研发和商用新一代的高亮度高功率半导体激光器的业界领导者，这些激光器可用于工业，军 事，医疗等领域。公司创立于2000年，QPC实现了从芯片生长到封装测试到精密的装配生产一体化，并在美 国的洛杉矶建立了一个最先进的高科技研发和生产基地。 公司的超高亮度，高功率的半导体激光器技术满足了新一代应用场合对高亮度二极管激光源的需求。可用 于打印，军事，医疗，材料加工及处理，并具有下列优点： 美国QPC公司创立于2000年,是半导体激光器的领导制造商.QPC公司在美国洛杉矶建有先进的研发和制造基地, -更高的功率密度可以大幅提升生产率 -较低的单位功率价格可以降低系统成本 一采用高亮度的光源可以增加系统的工作距，并简化光学设计 -芯片焊接采用硬焊料及膨胀系数与半导体材料相近的载体，可以极大地提高长 期的光谱稳定性和器件可靠性 -先进的芯片焊接技术还可以增强激光器在恶劣环境下的耐久性 美国QPC公司推出和倡导第三代半导体激光技术, QPC的核心技术包括: １ BrightLase TM激光半导体芯片技术． QPC有包括LD外延片生长,制造,封装的全套半导体激光原创技术,该技术代表了半导体激光新的技术水平, 比如: BrightLaseTM 半导体激光芯片在50um的单管上产生6.25W的激光功率, 平均125mW/um. 这一技术进一步提高了半导体激光亮度和功率密度. BrightLase TM激光半导体芯片有特殊的端面设计,防止损伤, 确保长期可靠性.
２ BrightLockTM 内蚀光栅半导体激光技术． 通过同一半导体芯片内蚀光栅技术(Internal Grating),LD的自然光谱带宽从传统的3-5nm消减到1-2nm. 更关键的是LD的波长温度系数可以控制在0.07nm/C以内, 而传统LD的该系数为0.3nm! 高亮度,窄带宽,高波长稳定的新一代LD提高了LD甭浦技术的效率和品质! ３ HPSELTM半导体激光技术． QPC开发的二维面发射列阵半导体激光芯片技术,该技术实现了单片列阵功率270W(980nm)．
４ 单模半导体激光技术和人眼安全半导体技术．
QPC公司的产品有单管,巴条,列阵,光纤耦合等多种形式. 主要产品系列和型号如下: 1 BrightLaseTM Ultra-500 高功率光纤半导体激光器系列 功率范围: 35-425W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470 光谱带宽: 3-5nm 光纤芯径: 200-800um 2 BrightLockTM Ultra-500 内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal Grating) 功率范围: 35-180W 可用波长(nm): 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 3 BrightLaseTM Ultra-100 光纤半导体激光器 功率范围: 35-110W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470 光谱带宽: 3-5nm 光纤芯径: 100-800um 4 BrightLockTM Ultra-100 内蚀光栅光纤半导体激光器(Internal Grating) 功率范围: 35-180W 可用波长(nm): 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 5 BrightLaseTM Ultra-50 光纤半导体激光器 功率范围: 15-35W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1064, 1380,1470,1532 光谱带宽: 3nm 光纤芯径: 100-800um 6 BrightLockTM Ultra-50 内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal Grating) 功率范围: 12-25W 可用波长(nm): 808, 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 7 BrightLockTM系列微通道水冷半导体激光叠阵 波长: 1532nm, 带宽: +/-1nm, 功率: 180W(6 Bar), 300W(10Bar) 8 BrightLaseTM 准直半导体模块 波长: 810nm, 1064nm, 功率: 25W, 30W 发散角: 10X6mrad 9 CS-Mount 半导体激光列阵 波长: 795, 808, 940, 1064, 1470,1532 功率: 20W, 25W, 40W, 50W 带宽: 3-5nm 10 BrightLaseTM 单管(Single Emitter) 波长: 808, 976, 1050, 1064 功率: 2.5-8W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 11 BrightLaseTM 单模单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 976, 1040, 1064 ,1550 功率: 1.5W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 12 BrightLaseTM 单模单频单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 976, 1040, 1064 ,1550 功率: 1.5W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 13 BrightLaseTM 单模单频单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 1550nm 功率: 400mW, 2W 带宽: 5nm 封装形式: 光纤耦合输出 14 BrightLockTM 单管(Single Emitter with Internal Grating) 波长: 785,808 功率: 750mW, 2.5W
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 | QPClasers官方站点:www.qpclasers.com |
美国QPC Lasers公司简介 QPC Lasers 是集研发与制造新一代超高亮度、高功率半导体激光器的业界领先者，发明创新的BrightLase TM 技术、Internal Gratings内刻蚀光栅技术以及单模单频技术都赢得业界的赞誉和尊重，满足并将推动新一代应用场合对高亮度半导体激光器的需求。 QPC Lasers 创立于2000年，在美国的洛杉矶建立了一个最先进的高科技研发和生产基地，实现了从芯片生长到封装测试到精密的装配生产一体化。产品已运用于工业，医疗，国防等领域。 QPC Lasers是一家已获得ISO质量体系认证的上市公司。
QPC公司是研发和商用新一代的高亮度高功率半导体激光器的业界领导者，这些激光器可用于工业，军 事，医疗等领域。公司创立于2000年，QPC实现了从芯片生长到封装测试到精密的装配生产一体化，并在美 国的洛杉矶建立了一个最先进的高科技研发和生产基地。 公司的超高亮度，高功率的半导体激光器技术满足了新一代应用场合对高亮度二极管激光源的需求。可用 于打印，军事，医疗，材料加工及处理，并具有下列优点： 美国QPC公司创立于2000年,是半导体激光器的领导制造商.QPC公司在美国洛杉矶建有先进的研发和制造基地, -更高的功率密度可以大幅提升生产率 -较低的单位功率价格可以降低系统成本 一采用高亮度的光源可以增加系统的工作距，并简化光学设计 -芯片焊接采用硬焊料及膨胀系数与半导体材料相近的载体，可以极大地提高长 期的光谱稳定性和器件可靠性 -先进的芯片焊接技术还可以增强激光器在恶劣环境下的耐久性 美国QPC公司推出和倡导第三代半导体激光技术, QPC的核心技术包括: １ BrightLase TM激光半导体芯片技术． QPC有包括LD外延片生长,制造,封装的全套半导体激光原创技术,该技术代表了半导体激光新的技术水平, 比如: BrightLaseTM 半导体激光芯片在50um的单管上产生6.25W的激光功率, 平均125mW/um. 这一技术进一步提高了半导体激光亮度和功率密度. BrightLase TM激光半导体芯片有特殊的端面设计,防止损伤, 确保长期可靠性.
２ BrightLockTM 内蚀光栅半导体激光技术． 通过同一半导体芯片内蚀光栅技术(Internal Grating),LD的自然光谱带宽从传统的3-5nm消减到1-2nm. 更关键的是LD的波长温度系数可以控制在0.07nm/C以内, 而传统LD的该系数为0.3nm! 高亮度,窄带宽,高波长稳定的新一代LD提高了LD甭浦技术的效率和品质! ３ HPSELTM半导体激光技术． QPC开发的二维面发射列阵半导体激光芯片技术,该技术实现了单片列阵功率270W(980nm)．
４ 单模半导体激光技术和人眼安全半导体技术．
QPC公司的产品有单管,巴条,列阵,光纤耦合等多种形式. 主要产品系列和型号如下: 1 BrightLaseTM Ultra-500 高功率光纤半导体激光器系列 功率范围: 35-425W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470 光谱带宽: 3-5nm 光纤芯径: 200-800um 2 BrightLockTM Ultra-500 内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal Grating) 功率范围: 35-180W 可用波长(nm): 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 3 BrightLaseTM Ultra-100 光纤半导体激光器 功率范围: 35-110W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470 光谱带宽: 3-5nm 光纤芯径: 100-800um 4 BrightLockTM Ultra-100 内蚀光栅光纤半导体激光器(Internal Grating) 功率范围: 35-180W 可用波长(nm): 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 5 BrightLaseTM Ultra-50 光纤半导体激光器 功率范围: 15-35W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1064, 1380,1470,1532 光谱带宽: 3nm 光纤芯径: 100-800um 6 BrightLockTM Ultra-50 内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal Grating) 功率范围: 12-25W 可用波长(nm): 808, 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 7 BrightLockTM系列微通道水冷半导体激光叠阵 波长: 1532nm, 带宽: +/-1nm, 功率: 180W(6 Bar), 300W(10Bar) 8 BrightLaseTM 准直半导体模块 波长: 810nm, 1064nm, 功率: 25W, 30W 发散角: 10X6mrad 9 CS-Mount 半导体激光列阵 波长: 795, 808, 940, 1064, 1470,1532 功率: 20W, 25W, 40W, 50W 带宽: 3-5nm 10 BrightLaseTM 单管(Single Emitter) 波长: 808, 976, 1050, 1064 功率: 2.5-8W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 11 BrightLaseTM 单模单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 976, 1040, 1064 ,1550 功率: 1.5W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 12 BrightLaseTM 单模单频单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 976, 1040, 1064 ,1550 功率: 1.5W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 13 BrightLaseTM 单模单频单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 1550nm 功率: 400mW, 2W 带宽: 5nm 封装形式: 光纤耦合输出 14 BrightLockTM 单管(Single Emitter with Internal Grating) 波长: 785,808 功率: 750mW, 2.5W
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 | 内蚀光栅半导体激光器单管内蚀光栅半导体激光器单管 |
| | Femtosecond Laser SourceFemtosecond Laser, 10mW: FSL1010rnHigh Power Femtosecond Laser, Up to 150mW: FSL1010HP |
 | BrightLase标准线宽光纤半导体激光器BrightLase标准线宽光纤半导体激光器 |
 | 微通道冷却半导体激光阵列BrightLockTM系列微通道冷却半导体激光阵列（内蚀光栅） |
 | 单模单频半导体激光器单管单模单频半导体激光器单管 |
| | 美国QPC公司半导体激光器概览美国QPC公司半导体激光器概览 |
 | BrightLock内蚀光栅半导体激光器BrightLock内蚀光栅半导体激光器 |
| | Femtosecond Laser SourceFemtosecond Laser, 10mW: FSL1010\r High Power Femtosecond Laser, Up to 150mW: FSL1010HP |
