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 德国BATOP公司是一家专门生长半导体可饱和吸收体等半导体光电器件的公司: SESAM半导体可饱和吸收镜 - Semiconductor Saturable absorber mirror, RSAM共振可饱和吸收镜 - Resonant Saturable absorber mirror,SOC可饱和吸收耦合输出镜 - Saturable output coupler),SLD超发光二极管 - Super luminescent diodes. 其中SESAM,RSAM和 SOC 是用于稳定、自启动的DPSS被动锁模激光器最简单的锁模元件。
 
 
裸片附在铜柱上附在光纤端
 
1. SESAM半导体可饱和吸收镜
 
 
型号描述:SAM-800-1-X
800-1—中心波长为800nm,饱和吸收率为1%,所有可选波长及饱和吸收率如下:
 800(-1,-4), (R > 99% @750-850nm),
850(-2,-4,-10,-12), (R > 99% @810-860nm),
940(-4,-6), (R > 99% @910-990nm),
980(-2,-7,-11,-18), (R > 99% @910-990nm 或者960-1040nm),
1040(-1,-2,-3,-4,-5,-6,-10),(R > 99% @1020-1110nm),
1064(-1,-2,-3,-4,-5,-6,-8,-10,-13),(R > 99% @1020-1110nm),
1510(-6,-11),(R > 99% @1470-1570nm),
1550(-1,-2,-3,-8,-10,-30,-50),(R > 99% @1500-1570nm)。
 
X  ——封装代码
 X=0,无封装的裸片
X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上
X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上
X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上
X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上
X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选
 
2. RSAM共振可饱和吸收镜
 
 
型号描述:RSAM-1064-27-X
1064-27—中心波长为1064nm,饱和吸收率为27%,所有可选波长及饱和吸收率如下:
 1064(-27,-47,-80), (R > 99% @1050-1070nm)。
 
X    ——封装代码
 X=0,无封装的裸片
X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上
X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上
X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上
X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上
X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选
X=FC/PC with TEC,安装在1米长光纤一端,且带TEC冷却器
 
3. SOC可饱和吸收耦合输出镜
 
 
型号描述:SOC-980-2-X
980-2—中心波长为980nm,饱和吸收率为2%,所有可选波长及饱和吸收率如下:
 980(-2,-4), (R > 99% @960-1020nm),
1064(-2,-4), (R > 99% @1040-1100nm)。
 
X  ——封装代码
 X=0,无封装的裸片
X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上
X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上
X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上
X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上
X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选
 
4. SANOS可饱和体噪声去除腔
 
 

Free space SANOS (FS-SANOS)

 
 

Fibre coupled SANOS (FC-SANOS)

 
SANOS可饱和体噪声去除腔的工作原来是利用可饱和吸收体对弱的噪声光有很小的反射率,多强的输出光具有很大的反射率,这样光通过SANOS可饱和体噪声去除腔后就能起到噪声去除的作用。可用于再生放大和脉冲选择以后的噪声光去除。
 
型号中心波长反射系数损耗噪声去除率
 nm%d Bd B
FS-SANOS-1064-11064>99314
FS-SANOS-1064-21064>99620
FC-SANOS-15XX1530-156050% 97%
FC-SANOS-15XX-TEC1530-156150% 97%
 
FS-SANOS-1064-1配备了一块饱和吸收体,FS-SANOS-1064-2配备了两块饱和吸收体;
FC-SANOS-15XX-TEC是把饱和吸收体附在TEC制冷片上。

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