原子层沉积技术现可以沉积的主要材料包括：
| 材料类别 | 沉积材料 | |
|---|---|---|
| II-VI族化合物 | BaS, CaS, CdS, Cd1-xMnxTe, CdTe, Hg1-xCdxTe, HgTe, MnTe, SrS, SrS1-xSex, ZnS, ZnSe, ZnS1-xSex, ZnTe | |
| 基于TFEL 的II-VI族荧光材料 | CaS:M (M=Ce, Eu, Pb, Tb), SrS:M (M=Ce, Cu, Mn, Pb, Tb, ), ZnS:M (M=Mn, Tb, Tm) | |
| III-V族化合物 | AlAs, AlxGa1-xAs, AlP, GaAs, GaxIn1-xAs, GaxIn1-xP, GaP, InAs, InP | |
| 氮/碳化物 | 半导体 介电材料 |
AlN, GaN, InN, SiNx |
| 导体 | MoN(C), NbN(C), Ta3N5, TaN(C), TiN(C) | |
| 氧化物 | 介电层 | Al2O3, BaTiO3, CeO2, HfO2, La2O3, MgO, Nb2O5, SiO2, SrTiO3, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZrO2 |
| 透明导体 半导体 |
CoOx, Ga2O3, In2O3, In2O3:Sn, In2O3:F, In2O3:Zr, NiO, SnO2, SnO2:Sb, ZnO, ZnO:Al | |
| 超导材料 | YB2Cu3O7-x | |
| 其他三元材料 | LaCoO3, LaNiO3,Bax(Y1-x)ZrO3 | |
| 氟化物 | CaF2, MgF2, SrF2, ZnF2 | |
| 单质材料 | Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Ni, Si, Pt, Ru | |
| 其他 | CuGaS2, In2S3, La2S3, PbS,SiC | |