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 | PMA 2143 热电堆PMA2143热电堆可对辐射通量进行测量。它对0.2-50um的辐射比较敏感，并且具备10度的视场角。使得这类仪器具备了光电式探测器的卓越的性能和高精确度。传感器是一个高品质黑热电堆，确保了整个光谱范围的平坦的光谱响应。热电堆是一款热传感器，对于吸收的所有功率响应。由于与周围环境存在传导以及辐射损失，辐射照度测量很容易受到影响。因此，探测器可以由玻璃窗屏蔽起来，但是光谱范围被限制在0.3-3um。 |
 | 太赫兹传感器TeraPyro 太赫兹传感器，带有可移动预对准透镜，基于焦电子技术 >从0.1到30 THz>脉冲操作（QCW）> 4mm²单像素 |
 | 太赫兹相位变换器太赫兹单色波片只能用于单波长，因为相位延迟取决于波长。有时候在特殊波段必须要有近似恒定的延迟，所以我们开发 出了太赫兹宽带相位变换器 |
 | 太赫兹相位变换器太赫兹单色波片只能用于单波长，因为相位延迟取决于波长。有时候在特殊波段必须要有近似恒定的延迟，所以我们开发 出了太赫兹宽带相位变换器。 |
 | SID4-eSWIRHIGH RESOLUTION EXTENDED SWIR WAVE FRONT SENSOR |
 | XWS-30 紧凑型等离子体宽带光源XWS-30是XWS-65标准款的紧凑型一体化版本，将泵浦激光放置在发光单位的灯室中，因此无需额外的驱动器来供电就可独立运行。与XWS-65相比，其体积小、发热量低，造型紧凑，使其非常适合集成到设备中。 |
| | PL成像检测系统（光致发光成像检测系统）澳大利亚BT Imaging公司 R3&R2-Plus PL成像检测系统（光致发光成像检测系统） |
| | 扩展电阻仪 (SRP)SRP (Spreading Resistance Profiling) 扩展电阻测试系统是用一对专用的点接触探针，沿着样品表面以很小的增量步进，测出每一点的扩展电阻值，绘出样品的电阻、电阻率和掺杂浓度的分布曲线。利用SRP法不仅可以得到外延层的电阻率分布等电学性质，而且可以确定外延层的厚度和界面杂质的过渡区分布。 |
 | 深能级瞬态谱仪（Deep Level Transient Spectroscopy system）深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段！测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联模式）、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS； 测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C~t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具 |
 | 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术。它可以沉积均匀一致，厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术。其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 |
 | 德国Nanoscribe的纳米级高分辨率3D打印系统主要特征 1.具有 100 nm 特征尺寸控制的高速高分辨率 3D 微纳加工 2.广泛的基板和晶圆，最大可达 8 英寸 3.工业批量处理：200 种典型的中尺度结构可在一夜之间打印 4.通过花岗岩基层和减振实现高机械和热稳定性 5.个性化定制系统，适用于广泛应用，是多用户设施的理想选择 |
