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无制冷1310nm 边发光LED DL-US3104H

边发光LED具有宽带的特性，最小3dB带宽为40nm，输出耦合功率高，并且可以高速调制到150Mhz。产品提供TO封装，适合光通讯和测试设备的应用。产品可以无需任何制冷的条件下在0-70??正常工作。

QFBGLD-1420-150 FBG激光二极管波长1420nm

半导体行业专用CDE ResMap 四点探针

CDE　ResMap–CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，既超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的

深能级瞬态谱仪（Deep Level Transient Spectroscopy system）

深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段！测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联模式）、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS；测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C~t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具

QPhotonics QFBGLD-808-5 FBG激光二极管波长808nm

无制冷1310nm 边发光LED DL-US31034D-FS

QFLD-1010-50S FP激光二极管波长1010nm

DL-ASE系列宽带光源模块

DL-ASE系列ASE光源模块是一系列低偏振度宽带光源，拥有多个波长选择和多种功率输出选择。光源采用了非常好的温度控制和补偿措施，可以让光源工作在恶劣的环境下，并得到稳定的波长和功率稳定性。所有的光源都是光纤输出。

霍尔效应测试仪

霍尔效应测试仪：主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 \r 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助

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