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深能级瞬态谱仪(Deep Level Transient Spectroscopy system)  
深能级瞬态谱仪(Deep Level Transient Spectroscopy system)
深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段!测试功能:电容模式、定电容模式、电流模式、(双关联模式)、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS; 测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具
霍尔效应测试仪  
霍尔效应测试仪
霍尔效应测试仪:主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。 \r 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助
台阶仪ET200/台阶仪  
台阶仪ET200/台阶仪
日本KOSAKA 台阶仪ET200:KOSAKA ET 200基于Windows XP操作系统为多种不同表面提供全面的形貌分析,包括半导体硅片、太阳能硅片、薄膜磁头及磁盘、MEMS、光电子、精加工表面、生物医学器件、薄膜/化学涂层以及平板显示等。使用金刚石(钻石)****接触测量的方式来实现高精度表面形貌分析应用。ET 200能精确可靠地测量出表面台阶形貌、粗糙度、波纹度、磨损度、薄膜应力等多种表面形貌技术参数。